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AlSiC
AlSiC 鋁碳化矽
- 高導熱性與高剛性並存
- 熱膨脹係數與半導體封裝匹配
- 極佳的機械加工性
AlSiC 是一種結合鋁與碳化矽（SiC）微粒的複合材料，兼具高導熱性與優異的結構穩定性，特別適合用於高功率密度的電子元件與封裝結構中。它能有效提升散熱效能，降低熱應力，並延長元件使用壽命。
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關鍵應用優勢
AlSiC 的熱膨脹係數（CTE）可根據設計調控，與半導體晶片、陶瓷基板等材料匹配，有效減少熱疲勞失效風險。其高導熱性確保熱能迅速擴散，提升整體系統效能。適用於高階 IGBT 模組、雷達電源模組、5G 基地台、高性能運算平台等。
AlSiC 導熱結構件
AlSiC 導熱材料可依據不同模組設計進行成形加工，具備輕量、高強度、抗熱衝擊等特性，適合做為基板、蓋板、外殼等熱管理組件的結構材料。其熱傳導效率遠優於一般金屬，並能有效抑制熱變形。 T-Global Technology 正積極投入超薄型 AlSiC 材料技術開發，厚度可達 0.5mm 以下，為未來高集成度晶片與模組提供最佳的導熱結構解決方案。
導熱對比分析 |
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| 依據功率密度選擇對應導熱結構件，優化整體散熱性能 | ||
| 高功率密度模組 | 中低功率模組 | |
AlSiC |
Vapor Chamber |
TIM |
| 高強度高導熱複合材料，提供穩定可靠的熱傳導與結構支撐。 | 快速將局部熱源擴散至大面積，提高散熱均勻性。 | 降低熱源與散熱件間的接觸熱阻，提升導熱效率。 |
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應對單點高溫熱源
導熱性能高，能迅速消散高熱密度熱點，提升系統可靠性。
可調控熱膨脹係數
可根據封裝匹配需求調整，減少應力與失效風險。
彈性設計組合
可根據模組需求進行複雜幾何與尺寸設計，實現完整客製化。