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CMC AlSiC 散熱片
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優異的高溫加工穩定性
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經熱循環與可焊性測試後無翹曲現象
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低熱膨脹係數與高熱導率
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重量低於銅
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厚度可薄型化不會翹曲，最薄可達 1mm
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通過抗振動測試
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經熱循環測試後的使用壽命優於銅
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可作為銅（Cu）或鉬銅（Mo-Cu）的替代材料
陶瓷基複合材料結構提升導熱能力，有效加強電子元件散熱效率
Applications：Power Electronics、Semiconductor Packaging、Electric Vehicles, EVs、Aerospace & Defense、High-Performance Computing & Data Centers、Renewable Energy Systems、Precision Machinery & Instrumentation、Telecommunications Equipment、Medical Electronics、Industrial Automation、Laser and Optoelectronics、Test & Measurement Instruments.
作為一種複合材料，我們的CMC AlSiC 散熱片在高效熱管理應用中提供了理想的性能平衡。其熱膨脹係數（CTE）範圍為 6 至 12×10⁻⁶/K，與常見陶瓷基板如氮化鋁（AlN，4.5×10⁻⁶/K）和氧化鋁（Al₂O₃，6.7×10⁻⁶/K）相近，遠優於傳統金屬如銅（17.5×10⁻⁶/K）或鋁（22.5×10⁻⁶/K）。這種 CTE 的匹配性大幅提升了 IGBT 功率模組與 IC 封裝中的熱穩定性。AlSiC 的密度僅為銅的三分之一，是熱擴散片與基板應用中對輕量化有嚴格要求的最佳選擇。
此材料的獨特結構結合了鋁的高導熱性與碳化矽的優異散熱能力，確保熱傳效率與熱穩定性兼具。此外，材料中共價鍵結的碳化矽顆粒賦予其高彎曲強度、高剛性、優良韌性與耐磨損特性。AlSiC 材質輕巧、易於加工，廣泛應用於電子、汽車、航太、高精密機械與綠色能源等多個產業領域。
產品規格：
| Material | Density (g/cm³) |
Thermal conductivity (W/m·K @25°C) |
Coefficient of Thermal Expansion (PPM/°C) |
|---|---|---|---|
| 85Mo/15Cu | 10.01 | 195 | 7.0 |
| 50Mo/50Cu | 9.51 | 230 | 10.3 |
| AlSiC | 2.7~3.0 | >180 | 7~10 |
| Cu‑AlSiC | 2.9~3.2 | >360 | 8~12 |
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CMC AlSiC 散熱片是一種陶瓷基複合材料，其結構為矽鋁合金基體中均勻分佈強化的碳化矽（SiC）顆粒。該材料具備高導熱率（>180 W/m·K）與低熱膨脹係數（7–10 ppm/°C），能有效將高功率密度元件產生的熱迅速導出，同時在經歷熱循環過程中維持機械穩定性，並降低電子元件內部的熱應力。